背面供电（Backside Power Delivery，常缩写 BSPDN）指的是把芯片的供电网络从晶圆正面挪到背面，用纳米级的穿孔从背后直接给晶体管送电。
正面为什么不够用了
芯片是立体的：最底下是晶体管，上面叠十几到二十层金属互连（interconnect），信号线和电源线混在同一堆金属层里抢空间。电源线的痛点是"要么粗、要么垮"——线越细电阻越大，电流流过就掉电压（IR drop，压降），严重时晶体管拿到的电压不够，时序出错。所以电源线必须做得又粗又密。粗线一多，留给信号线的空间就少了，布线拥塞（routing congestion）随着节点推进越来越难解。
打个比方：一栋写字楼，地面道路既跑客车（信号）也跑重载货车（供电）。货车为了不堵必须走宽车道，地面被占掉一大半。背面供电相当于在楼底下挖一条专用货运隧道：货车全走地下，地面车道留给客车。
怎么做到的
大致流程是：把正面工艺做完的晶圆减薄到几微米，键合到一片载片上，翻过来从背面刻出纳米级硅通孔（nano-TSV），直接接到晶体管的源漏或电源轨上，再在背面做又粗、电阻又低的金属层。背面不必和信号线争抢，可以放心把线做宽，压降和布线压力同时下降。
容易混淆的几个概念
| 概念 | 改的是什么 | 和背面供电的关系 |
|---|---|---|
| 背面供电 BSPDN | 供电网络的物理位置 | 本身 |
| 埋入式电源轨 BPR | 把电源轨埋到器件层下方，但仍从正面接电 | 思路相近的过渡方案 |
| 3D 堆叠 / chiplet | 把多颗芯片上下叠起来 | 芯片之间的堆叠，不是片内布线 |
| FinFET / GAA | 晶体管本身的结构 | 正交话题，可与背面供电叠加使用 |
对从业者意味着什么
- 做物理设计的人要重新学一部分东西：标准单元库、PDK、电源规划、热分析都会跟着调整。背面金属层是新的资源池，也是新的约束。
- 能效和密度是直接收益：同样面积塞进更多算力，或同样算力少花电，数据中心和端侧设备都受益。
- 对普通职场人：AI 推理的边际成本里有一部分就是电和散热，供电效率提升最终会体现在服务成本上；手机续航同理。
具体到某个工艺节点是否支持、以什么形式支持，各家路线不同，以厂商官方页面为准。